Статья опубликована в рамках: XXII Международной научно-практической конференции «Естественные и математические науки в современном мире» (Россия, г. Новосибирск, 03 сентября 2014 г.)
Наука: Физика
Секция: Лазерная физика
Скачать книгу(-и): Сборник статей конференции
- Условия публикаций
- Все статьи конференции
дипломов
Статья опубликована в рамках:
Выходные данные сборника:
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОКАЗАТЕЛЯ ПРЕЛОМЛЕНИЯ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
Колчинский Владислав Андреевич
аспирант Института A втоматики и Процессов Управления, РФ, г. Владивосток
E -mail: vladko.88@mail.ru
Черепахин Артем Борисович
студент Школы естественных наук Дальневосточного Федерального Университета, РФ, г. Владивосток
Ромашко Роман Владимирович
д-р физ.-мат. наук, зав. кафедрой Квантовой и оптической электроники Школы естественных наук Дальневосточного Федерального Университета, РФ, г. Владивосток
E-mail:
GALLIUM NITRIDE REFRACTIVE INDEX MEASUREMENT
Vladislav Kolchinskiy
postgraduate, Insitute of Automation and Control Processes, Russia, Vladivostok
Artem Cherepahin
student, School of Natural Sciences, Far Eastern Federal University, Russia, Vladivostok
Roman Romashko
doctor of sciences, professor, Department of Quantum and Optoelectronics, School of Natural Sciences, Far Eastern Federal University, Russia, Vladivostok
Исследование выполнено при поддержке Дальневосточного федерального университета, проект № 12-02-13009-42/13.
АННОТАЦИЯ
Данная работа посвящена измерению показателя преломления нитрида галлия. Цель работы: показать возможность измерения данного параметра с помощью лазерного профилометра. В связи с тем, что в оптическом диапазоне кристалл нитрида галлия имеет хорошие оптические характеристики [5], определение показателя преломления проводилось на длинах волн оптического диапазона из перечня доступных источников излучения (470, 561 и 632 нм). Измерение осуществлялось с помощью лазерного профилометра с разрешением между соседними пикселами 8 мкм. Экспериментальные значения совпали с теоретическими в пределах ошибки.
ABSTRACT
This work is devoted to the measurement of the refractive index of gallium nitride. Objective: To demonstrate the ability to measure this parameter using a laser profilometer. Due to the fact that in the optical range crystal gallium nitride has a good optical characteristic [5], the determination of refractive index was performed at wavelengths of the optical range from the list of available light sources (470, 561 and 632 nm). Measurement was carried out using a laser profilometer resolution between neighboring pixels 8 microns. The experimental values agreed with the theoretical within the error.
Ключевые слова: нитрид галлия; лазерный профилометр.
Keywords: gallium nitride; a laser profilometer.
Благоприятное сочетание многих физико-химических свойств нитрида галлия открывает перед ним широкие перспективы применения в различных областях электронной техники [2]. Высокая термическая, химическая и радиационная стойкость нитрида галлия позволяет использовать его для изготовления приборов, работающих при повышенных температурах и в неблагоприятных условиях [1]. Хорошая теплопроводность снимает многие проблемы охлаждения рабочей области, а сочетание высокой скорости насыщения электронов [4] и значительного поля пробоя делает его пригодным к изготовлению мощных высокочастотных и высокотемпературных транзисторов. Прямой характер межзонных переходов, большая ширина запрещенной зоны (3,39 эВ при 300 K) обусловливают возможность значительного расширения спектрального диапазона работы изготавливаемых на его основе светоизлучающих и фотоприемных устройств [3, 6].
В настоящей работе проводилось определение показателя преломления чистого образца нитрида галлия GaN, толщиной 150 мкм, не легированный примесями (подготовленный коллегами из Университета Сунь Ятсена (размер 10x10 мм).
Рисунок 1. Исследуемый образец нитрида галлия
Показатель преломления является одним из важнейших оптических параметров материала. Существуют различные методы определения показателя преломления, среди которых гониометрический, рефрактометрический, эллипсометрический. В данной работе было произведено определение показателя преломления с помощью альтернативного метода лазерного профилометра. Данный способ позволяет определить показатель преломления с точностью до 10-3, что уступает выше указанным методам. Но данный недостаток компенсирует относительная простота измерения.
В связи с тем, что в оптическом диапазоне кристалл нитрида галлия имеет хорошие оптические характеристики [3], определение показателя преломления проводилось на длинах волн оптического диапазона из перечня доступных источников излучения (470, 561 и 632 нм). Измерение осуществлялось с помощью лазерного профилометра с разрешением между соседними пикселами 8 мкм. Образец помещался в вертикальном положении на прецизионную подвижку, с помощью которой осуществлялся точный поворот образца относительно лазерного излучения (вертикальной поляризации). Для стабильности работы лазера использовался оптический изолятор на выходе лазерного излучения, обеспечивающий пропускание света в одном направлении почти без потерь, а в другом (обратном) направлении с большим затуханием. Для более точного определения показателя преломления кристалла нитрида галлия с помощью профилометра, был использован пространственный фильтр, представляющий собой комбинацию плоско-выпуклых линз и диафрагмы.
Схема установки для измерения показателя преломления с лазерного профилометра приведена на рисунке 2. На рисунке 3 изображен ход лучей в образце нитрида галлия,представляющий собой плоскопараллельную пластину.
Рисунок 2 Схема установки: 1 — лазер, 2 — поляризатор, 3 — λ/4 пластинка, 4 — образец, 5 — прецизионная подвижка, 6 — лазерный профилометр, 7 — плоско-выпуклая линза, 8 — диафрагма, 9 — плоско-выпуклая линза
Рисунок 3. Направление лучей в плоскопараллельной пластинке (α — угол поворота, β — угол преломления, h — отклонение луча, определяемое с помощью лазерного профилометра, d — толщина образца, х и у — вспомогательные отрезки для вывода формулы)
С помощью геометрических преобразований и используя закон Снеллиуса, была получена формула нахождения показателя преломления:
(1)
где: α — угол поворота,
h — отклонение луча, определяемое с помощью лазерного профилометра,
d — толщина образца
На рисунке 4 изображены профили лазерного луча, полученные с помощью лазерного профилометра:
Рисунок 4. Профили лазерного луча, полученные с помощью лазерного профилометра (а — без образца, б — после прохождения через образец, в — после прохождения через образец, повернутый на 35 градусов вдоль оси)
На рисунке 5 приведен график расчета показателя преломления GaN при различных длинах волн в диапазоне поворота образца от 1 до 45 градусов относительно лазерного излучения. Показатель преломления на каждой длине волне на рисунке показан в сравнении со справочными данными [2].
Рисунок 5. Показатель преломления GaN при различных длинах волн
Полученные значения показателя преломления нитрида галлия при доверительной вероятности 0,95, рассчитанные с помощью формул Стьюдента:
= 2,4677 ±
= 2,4095 ±
= 2,3844 ± 43
Таким образом, в ходе проделанной работы была выработана методика измерения показателя преломления с помощью лазерного профилометра и был измерен показатель преломления образца нитрида галлия на длинах волн 470, 561 и 632 нм. Экспериментальные значения совпали с теоретическими в пределах ошибки [4]. Данный метод является новизной в измерении показателя преломления и сочетание таких качеств, как простая схема установки и относительно малая стоимость, позволяет использовать данный метод для экспресс измерения показателя преломления.
Список литературы:
1.Акчурин P.X., А.А. Мармалюк. Нитрид галлия — перспективный материал электронной техники Часть I. 1999
2.Туркин А.Н. Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современной оптоэлектронике //Компоненты и технологии. — 2011. — Т. 5. — № 118.
3.Bass M. et al. Handbook of Optics, Volume IV: Optical Properties of Materials, Nonlinear Optics, Quantum Optics (set). McGraw Hill Professional, 2009. Т. 4.
4.Chin V.W.L., Tansley T.L., Osotchan T. Electron mobilities in gallium, indium, and aluminum nitrides //Journal of Applied Physics. — 1994. — Т. 75. — № 11. — С. 7365—7372.
5.Gunter P., Huignard J-P. Photorefractive Materials and Their Applications 2. Springer, 2007, — Ch. 11.
6.Edgar J.H. Properties, processing and applications of gallium nitride and related semiconductors. Iet, 1999.
дипломов
Оставить комментарий