Статья опубликована в рамках: Научного журнала «Студенческий» № 26(70)
Рубрика журнала: Технические науки
Секция: Радиотехника, Электроника
Скачать книгу(-и): скачать журнал часть 1, скачать журнал часть 2, скачать журнал часть 3
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ КЛЮЧА IRF540
С помощью специального стенда, который позволяет снимать характеристики транзисторов, было проведено моделирование электрического устройства. Для моделирования были использованы те же параметры, что и при моделировании в Micro-Cap: напряжение питания 60 В, напряжение импульса затвора 10 В и нагрузка в цепи стока 10 Ом Резистор в цепи затвора изменялся таким образом: 10, 20, 100, 150 Ом.
Красный луч - напряжение на затворе. Синий - напряжение на стоке. Зеленый - ток стока. Все осциллограммы изображены в масштабе 500 нс.
- Резистор в цепи затвора 10 Ом.
Рисунок 1. Осциллограмма временных характеристик при значении резистора в цепи затвора 10 Ом
Время включения 240 нс, время выключения 160 нс. Время нарастания тока и спада напряжения 20 нс. Время спада тока и нарастания напряжения 50 нс. Резистор в цепи затвора 20 Ом.
Рисунок 2. Осциллограмма временных характеристик при значении резистора в цепи затвора 20 Ом
Время включения 300 нс, время выключения 220 нс. Время нарастания тока и спада напряжения 60 нс. Время спада тока и нарастания напряжения 100 нс.
- Резистор в цепи затвора 100 Ом.
Рисунок 3. Осциллограмма временных характеристик при значении резистора в цепи затвора 100 Ом
Время включения 800 нс, время выключения 900 нс. Время нарастания тока и спада напряжения 170 нс. Время спада тока и нарастания напряжения 240 нс.
- Резистор в цепи затвора 150 Ом.
Рисунок 4. Осциллограмма временных характеристик при значении резистора в цепи затвора 150 Ом
Время включения 800 нс, время выключения 1000 нс. Время нарастания тока и спада напряжения 240 нс. Время спада тока и нарастания напряжения 450 нс.
Процессы переключения занимают достаточно большое время, а графики процессов переключения отличаются, что говорит о не совершенности моделей короткоканальных транзисторов.
Список литературы:
- Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми полевыми транзисторами. // valvolodin.narod.ru [электронный ресурс] – Режим лоступа. – URL: http://valvolodin.narod.ru/articles/fetdrvr.pdf (дата обращения: 11.04.2019).
- Полуянович Н.К. Силовая электроника. – Таганрог: Таганрогский государственный радиотехнический университет, 2005. – 204 с.
- Амелин С.А. Схемотехника. Конспект курса лекций. Смоленск, 2018. 150 с. [Электронный ресурс]. URL: https://drive.google.com/file/d/0B3u4J7t3fyZ2VkxmSHBKUWtuLUE/edit (дата обращения: 11.04.2019).
Оставить комментарий