АНАЛИЗ МОДЕЛИ МОП-ТРАНЗИСТОРА MOSFET) (NMOS, N-КАНАЛЬНЫЙ), ИСПОЛЬЗУЕМОГО В MICRO CAP

В программе MicroCap полевые транзисторы имеют три системы уравнений, с помощью которых они характеризуются. Такие системы представлены в параметре LEVEL, имеющего три значения: 1, 2 и 3. При применении уровня LEVEL=1 будут применены требования к точности моделирования, при использовании которых ВАХ транзистора не нуждается в высокой точности. Такими транзисторами являются узко- или корткоканальные.

Для более точного моделирования используются LEVEL=2 и LEVEL=3.

На рисунке 1 представлены подробные характеристики n-канального MOSFET.

Рисунок 1. Параметры транзистора MOSFET (N-канальный)

Расшифровка некоторых параметров:

RD – сопротивление стока (150 мОм);

RS – сопротивление истока (300 мОм);

IS – ток насыщения (10 фА);

RG – сопротивление затвора (30 Ом);

JS – плотность тока насыщения (10 нА);

VTO – пороговое напряжение (4 В).

Рисунок 2. Модель представленного МОП-транзистора

На рисунке 2 показана модель МОП-транзистора, параметры которой были рассмотрены ранее.

Список литературы:

1. Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми полевыми транзисторами. // valvolodin.narod.ru [электронный ресурс] ­– Режим лоступа. – URL: http://valvolodin.narod.ru/articles/fetdrvr.pdf (дата обращения: 11.04.2019).
2. Полуянович Н.К. Силовая электроника. – Таганрог: Таганрогский государственный радиотехнический университет, 2005. – 204 с.
3. Амелина М.А. Компьютерный анализ и синтез электронных устройств (часть 1). Конспект курса лекций. — Смоленск: Смоленский филиал МЭИ, 2005. – 120 с.