АНАЛИЗ МОДЕЛИ МОП-ТРАНЗИСТОРА (MOSFET) (PMOS, P-КАНАЛЬНЫЙ), ИСПОЛЬЗУЕМОГО В MICRO CAP

В программе MicroCap полевые транзисторы имеют три системы уравнений, с помощью которых они характеризуются. Такие системы представлены в параметре LEVEL, имеющего три значения: 1, 2 и 3. При применении уровня LEVEL=1 будут применены требования к точности моделирования, при использовании которых ВАХ транзистора не нуждается в высокой точности. Такими транзисторами являются узко- или корткоканальные.

Для более точного моделирования используются LEVEL=2 и LEVEL=3.

По сравнению с n-канальным MOSFET, у p-канального наблюдаются отличия в значениях коэффициентов, а также в некоторых рассмотренных параметрах:

RD – сопротивление стока (20 пОм);

RS – сопротивление истока (200 мОм);

RG – сопротивление затвора (20 Ом);

VTO – пороговое напряжение (-4 В).

На рисунке 1 представлены подробные характеристики p-канального MOSFET.

Рисунок 1. Параметры транзистора MOSFET (P-канальный)

Список литературы:

1. Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми полевыми транзисторами. // valvolodin.narod.ru [электронный ресурс] – Режим лоступа. – URL: http://valvolodin.narod.ru/articles/fetdrvr.pdf (дата обращения: 11.04.2019).
2. Полуянович Н.К. Силовая электроника. – Таганрог: Таганрогский государственный радиотехнический университет, 2005. – 204 с.
3. Амелина М.А. Компьютерный анализ и синтез электронных устройств (часть 1). Конспект курса лекций. — Смоленск: Смоленский филиал МЭИ, 2005. – 120 с.