АНАЛИЗ МОДЕЛИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА (JFET) (NJFET, P-КАНАЛЬНЫЙ), ИСПОЛЬЗУЕМОГО В MICRO CAP

Модели транзисторы JFET являются полевыми транзисторами, которые имеют управляющий p-n-переход и работают на постоянном токе. Данные транзисторы описываются моделью Шихмана-Ходжеса. Принципом работы таких транзисторов является установка связи выходного тока стока с напряжением затвор-исток и сток-исток.

Транзистор PJFET, отличается от транзистора NJFET и имеет другие значения в некоторых параметрах: емкости перехода затвор-сток при нулевом смещении (CGD), емкости перехода затвор-исток при нулевом смещении (CGS) и коэффициенте, который определяет спектральную плотность фликкер-шума (KF).

На рисунке 1 показаны все параметры PJFET транзистора.

Рисунок 1. Параметры транзистора JFET (P-канальный)

Расшифровка некоторых параметров:

RD – сопротивление стока (0);

RS – сопротивление истока (10u);

VTO – пороговое напряжение (-4);

IS – ток насыщения p-n-перехода затвор-канала (10f);

Список литературы:

1. Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми полевыми транзисторами. // valvolodin.narod.ru [электронный ресурс] ­– Режим лоступа. – URL: http://valvolodin.narod.ru/articles/fetdrvr.pdf (дата обращения: 11.04.2019).
2. Полуянович Н.К. Силовая электроника. – Таганрог: Таганрогский государственный радиотехнический университет, 2005. – 204 с.
3. Амелина М.А. Компьютерный анализ и синтез электронных устройств (часть 1). Конспект курса лекций. — Смоленск: Смоленский филиал МЭИ, 2005. – 120 с.